產(chǎn)品名稱：巰基乙酸修飾殼核型CdTe/CdS量子點(diǎn)(TGA-CdTe/CdSQDs)

產(chǎn)品描述：

中文名稱：巰基乙酸修飾殼核型CdTe/CdS量子點(diǎn)

英文名稱：TGA-CdTe/CdSQDs

其它別稱：巰基乙酸修飾殼核型碲化鎘/硫化鎘量子點(diǎn)

純度：98%

包裝：mg級和g級

貨期：一周

地址：西安

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

TGA-CdTe/CdSQDs具有高性能的熒光,當(dāng)與鹽酸*根堿發(fā)生作用后,熒光猝滅。其熒光猝滅原因可能是量子點(diǎn)表面的電荷通過一S-CH,C0O-與鹽酸*根堿作用而發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移使量子點(diǎn)熒光猝滅,同時由于量子點(diǎn)外層鹽酸*根堿的存在,可能使量子點(diǎn)電子從激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時以光能形式釋放能量受到障礙,變?yōu)榉禽椛滠S遷,也導(dǎo)致量子點(diǎn)熒光的猝滅。由此可見，熒光猝滅的主要原因是量子點(diǎn)與*物之間產(chǎn)生了電荷轉(zhuǎn)移的過程。而吸收圖譜此時并未發(fā)生明顯的變化,并且實(shí)驗(yàn)表明,熒光猝滅作用符合Stermn-Volmer和Lineweaver-Burk公式,應(yīng)當(dāng)屬于動態(tài)猝滅作用。其過程如Scheme2所示。

產(chǎn)品目錄：

PEG400修飾ZnS:Cu量子點(diǎn)

PEG修飾二氧化硅包覆碲化鎘量子點(diǎn)

MePEG-PLA修飾CdSe/ZnS核殼型量子點(diǎn)

Co摻雜PEG修飾ZnO量子點(diǎn)

Cu摻雜PEG修飾ZnO量子點(diǎn)

S摻雜PEG修飾ZnO量子點(diǎn)

Cd摻雜PEG修飾ZnO量子點(diǎn)

聚乙二醇修飾二硫化錫插層量子點(diǎn)

聚乙二醇單甲醚修飾二氧化錫量子點(diǎn)

聚乙二醇-硫量子點(diǎn)

廠家：西安齊岳生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.10.08

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。

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西安齊岳生物科技有限公司是集化學(xué)科研和定制與一體的高科技化學(xué)公司。業(yè)務(wù)范圍包括化學(xué)試劑和產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等。涉及產(chǎn)品為通用試劑的分銷、非通用試劑的定制與研發(fā)，涵蓋生物科技、化學(xué)品、中間體和化工材料等領(lǐng)域。
主營產(chǎn)品：COF、MOF單體系列：三蝶烯衍生物、金剛烷衍生物、四苯甲烷衍生物、peg、上轉(zhuǎn)換、石墨烯、光電材料、點(diǎn)擊化學(xué)、凝集素、載玻片、蛋白質(zhì)交聯(lián)劑、脂質(zhì)體、蛋白、多肽、氨基酸、糖化學(xué)等。