產(chǎn)品名稱：MAPbI3鈣鈦礦薄膜/晶體定制廠家（齊岳生物）

產(chǎn)品描述：

MAPbI3鈣鈦礦薄膜/晶體定制廠家（齊岳生物）鈣鈦礦太陽(yáng)電池需在連續(xù)光照、電場(chǎng)、水氧滲透等復(fù)雜條件下工作，因此有研究不同衰減機(jī)制之間的協(xié)同作用，及其對(duì)鈣鈦礦的不良影響。通常氧氣分子暗態(tài)下對(duì)鈣鈦礦的較緩慢，氧氣吸附可鈍化鈣鈦礦表面金屬態(tài)鉛缺陷，Sprio-OMeTAD空穴傳輸層電導(dǎo)率，利于鈣鈦礦電池電學(xué)性能。但是也有報(bào)道表明，光照條件下吸附于鈣鈦礦薄膜的氧氣分子可獲得光生電子形成氧離子，氧離子易與A位有機(jī)陽(yáng)離子進(jìn)行脫氫反應(yīng)導(dǎo)致鈣鈦礦晶體的分解（即光氧誘導(dǎo)分解）。MAPbI3薄膜內(nèi)的離子遷移現(xiàn)象可進(jìn)一步加劇鈣鈦礦內(nèi)部光氧誘導(dǎo)分解過(guò)程。這是由于dian離子在電場(chǎng)下的遷移可導(dǎo)致dian空位（缺陷）的形成，而dian空位的聚集可以氧離子的產(chǎn)生率，加速鈣鈦礦的光氧誘導(dǎo)分解。因此在鈣鈦礦薄膜內(nèi)部存在局部電場(chǎng)的區(qū)域，光氧誘導(dǎo)分解速率高于其它無(wú)電場(chǎng)區(qū)域。這種局部電場(chǎng)可由金屬-半導(dǎo)體之間的肖特基接觸或外加偏壓而形成，在鈣鈦礦電池工作過(guò)程中很常見；另一方面，該研究發(fā)現(xiàn)鈣鈦礦的光照-氧氣分解過(guò)程也增加了可移動(dòng)離子的濃度，說(shuō)明有更多的點(diǎn)缺陷形成；而且離子遷移的活化能從0.37 eV降0.23 eV，說(shuō)明光氧誘導(dǎo)的分解過(guò)程形成了離子更容易遷移的新通道，加劇了離子遷移現(xiàn)象。以上結(jié)果表明離子遷移和光氧誘導(dǎo)分解這兩種失效機(jī)制之間存在相互的協(xié)同效應(yīng)，兩種效應(yīng)發(fā)生關(guān)聯(lián)的在于晶體缺陷的激發(fā)，遷移和聚集。?圖1. 含不同Cs摻雜濃度鈣鈦礦薄膜在純氧氣氛圍中的光照老化對(duì)比從A位離子調(diào)節(jié)的角度出發(fā)，對(duì)比了堿金屬離子（Na+, Rb+, Cs+）對(duì)MAPbI3鈣鈦礦光氧穩(wěn)定性的影響。發(fā)現(xiàn)Cs+較有利于鈣鈦礦薄膜的抗光照-氧氣性能。通過(guò)優(yōu)化Cs離子摻雜濃度至5%，使MA基鈣鈦礦材料的分解速率降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)（圖1）。同時(shí)該優(yōu)化組分對(duì)存在外加偏壓時(shí)的光氧化降解也有的作用（圖2），表明薄膜的本征穩(wěn)定性得到了實(shí)質(zhì)。此外，對(duì)于甲脒（FA）基鈣鈦礦，研究發(fā)現(xiàn)摻入10%的Cs+離子之后薄膜的抗光照-氧氣性能也得到一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。值得一提的是，在MA、FA基鈣鈦礦中替換5~10%的A位離子對(duì)材料吸光影響小，是一種幾乎不影響器件效率的光照-氧氣穩(wěn)定性的方法。圖2. 有/無(wú)外加電場(chǎng)條件下，鈣鈦礦薄膜在光照-氧化處理中的分解速率對(duì)比。(a) 無(wú)Cs+離子摻雜薄膜；(b) 摻雜5% Cs+離子薄膜。該研究闡述了鈣鈦礦薄膜光照-氧氣穩(wěn)定性的兩個(gè)主要原因：1、Cs+摻雜導(dǎo)致離子遷移趨勢(shì)下降（遷移活化能從0.37 eV至0.50 eV）。一性原理計(jì)算發(fā)現(xiàn)Cs+摻入鈣鈦礦晶格后引起局部晶胞緊縮，同時(shí)可遷移的空位接近Cs+離子近鄰格點(diǎn)時(shí)變得更困難（系統(tǒng)能量增加0.4 eV以上，圖3a,b）。這表明摻雜的Cs+對(duì)空位缺陷具有排斥作用，在晶體中形成了離子形成和遷移的“排斥區(qū)”，隨機(jī)分散在晶體中的“排斥區(qū)”壓縮了離子遷移的通道（圖3c）；2、Cs+摻雜可降低鈣鈦礦薄膜中氧離子的產(chǎn)生率。Cs+摻雜后薄膜中形成氧離子的能壘增加了約0.54 eV，產(chǎn)生率下降了約7倍。由于Cs+摻雜同時(shí)對(duì)光氧誘導(dǎo)分解和離子遷移具果，因此了兩種老化機(jī)制之間的協(xié)同作用。?圖3. (a,b) 空位缺陷在鈣鈦礦薄膜中遷移時(shí)的能壘示意圖，(a) 無(wú)Cs+離子；(b) 含Cs+離子；(c) 晶體中的Cs+離子對(duì)空位形成的排斥效應(yīng)及其壓縮離子遷移通道示意圖。該研究展示了雜化鈣鈦礦的光化學(xué)穩(wěn)定性對(duì)其A位離子的敏感性，同時(shí)也揭示了Cs+摻雜對(duì)空位形成和遷移方面的作用，表明采用A位離子取代（如Cs+摻雜）是設(shè)計(jì)研究率、高穩(wěn)定性鈣鈦礦薄膜的策略之一。?聚酰亞胺/鈦酸鋇復(fù)合膜聚偏氟乙烯-鈦酸鋇復(fù)合材料聚苯乙烯—鈦酸鋇復(fù)合材料炭黑/鈦酸鋇復(fù)合顆粒苯并噁嗪/鈦酸鋇復(fù)合材料碳/鈦酸鋇復(fù)合陶瓷薄膜聚酰亞胺/納米鈦酸鋇復(fù)合薄膜雙馬來(lái)酰亞胺/鈦酸鋇復(fù)合材料聚苯乙烯/鈦酸鋇復(fù)合微球鈦酸鋇納米復(fù)合材料納米鈦酸鋇和羰基-鐵/鈦酸鋇復(fù)合材料磁性離子Fe~(3+)摻雜鈦酸鋇復(fù)合粒子稀土元素改性鈦酸鋇基復(fù)合陶瓷Ba(Ti,Zr)O3-BiFeO3復(fù)合陶瓷Sn、Tb復(fù)合摻雜鈦酸鋇陶瓷鈦酸鋇(BaTiO3)粉體鈦酸鋇基復(fù)合材料鈦酸鋇壓電陶瓷纖維及其復(fù)合材料摻雜鈦酸鋇的有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦薄膜材料鈦酸鋇界面修飾層的鈣鈦礦材料鈣鈦礦型鈦酸鹽材料Ba(Zr,Ti)O3-BiFeO3復(fù)合陶瓷復(fù)合摻雜鋯鈦酸鋇陶瓷介電性三氧化二釓材料釔摻雜鋯鈦酸鋇陶瓷材料堿土金屬(鍶/鋇)鈦酸鹽材料鈦酸鋇與鐵氧體及其納米復(fù)合顆粒鈦酸鋇系鈣鈦礦結(jié)構(gòu)薄膜六腳結(jié)構(gòu)鈣鈦礦鈦酸鋇單晶納米顆粒稀土復(fù)合摻雜鈦酸鋇基納米介電陶瓷材料錳摻雜對(duì)鈦酸鋇基半導(dǎo)體材料復(fù)合鈣鈦礦材料鈦酸鉍鈉-Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)多鐵復(fù)合材料磁電耦合效應(yīng)鈦酸鋇鈣鈦礦復(fù)合材料鈦酸鋇鎳鐵氧體鐵BaTiO_3/NiFe_2O_4復(fù)合材料摻Fe鈦酸鋇層狀復(fù)合材料不同鐵摻雜水平的BaTi_(1-Z)Fe_ZO_3與Tb_(1-x)Dy_xFe_(2-y)層狀復(fù)合材料Ta~(5+)摻雜的K_(2-x)La_2Ti_(3-x)Ta_xO_(10)(x=0.1-1.0)鉭摻雜對(duì)層狀鈣鈦礦鑭鈦酸鉀光催化材料鈣鈦礦鑭鈦酸鉀電子材料巰基苯甲酸(4-MBA)修飾TiO_2致密層的鈣鈦礦二氧化鈦TiO_2基鈣鈦礦界面修飾太陽(yáng)能電池二氧化錫(SnO_2)薄層鈍化TiO_2表面修飾層狀四鈦酸鉀復(fù)合物雙硫腙修飾的三鈦酸鈉晶須材料TiO_2修飾鈦酸鈉納米管負(fù)載Au催化劑嵌有氧化鐵的鈦酸鈉納米片電極材料鉍鈦酸鈉壓電陶瓷鈣鈦礦材料鈦酸鈉納米線表面修飾填充改性鈦酸納米管納米管鈦酸鈉(na2Ti2O4(OH)2)鈣鈦礦型鈦酸鹽-鈦酸鍶(鋇)包裹TiO_2四氧化三鐵/鈦酸鈉納米片鈣鈦礦型復(fù)合氧化物SrTiO3鈦酸鍶立方塊狀鈦酸鍶及其表面銅離子團(tuán)簇修飾鎘和鉛在金屬鈦酸材料修飾電極材料米鈦酸鍶(SrTiO_3)和離子液體(ILs)復(fù)合修飾玻碳電極ABO3型鈣鈦礦復(fù)合氧化物稀土元素?fù)诫s鈣鈦礦型氧化物鈦酸鍶(SrTiO3)與鈦酸鋇(BaTiO3)材料鈣鈦礦型鈦酸鍶納米粉體納米鈦酸鍶(SrTiO_3)催化劑表面修飾SrTiO3光催化劑納米碳管A、B位共摻雜鈦酸鍶混合導(dǎo)體材料摻鎂鈦酸鍶(SrTiO3)陶瓷材料鈦酸鍶(SrTiO3)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)金屬氧化物上述產(chǎn)品齊岳生物均可供應(yīng)，用于科研，不可用于人體實(shí)驗(yàn)！wyf 02.26 相關(guān)目錄： 二元/三元ABX3鈣鈦礦氧化物/鈣鈦礦高熵 一起了解納米二氧化硅的性質(zhì)及制備

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