產(chǎn)品名稱(chēng)：Si襯底上Ge薄膜的制備過(guò)程（低溫-高溫兩步法工藝介紹）

產(chǎn)品描述：

Si襯底上Ge薄膜的制備過(guò)程（低溫-高溫兩步法工藝介紹） 西安齊岳生物科技有限公司提供或者國(guó)產(chǎn)的薄膜，尺寸可定制；基底以及外延的薄膜；品質(zhì)高。同時(shí)提供二維材料；石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長(zhǎng)的薄膜、晶體、異質(zhì)結(jié)、薄膜（藍(lán)寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底）等材料。 Si襯底上Ge薄膜制備過(guò)程中,利用二者之間的熱失配,可在Ge薄膜層中引入張應(yīng)力.張應(yīng)力改性作用下,Ge能帶結(jié)構(gòu)由間接帶隙類(lèi)型轉(zhuǎn)化為準(zhǔn)直接帶隙或直接帶隙類(lèi)型,將其應(yīng)用于光子器件,可器件的發(fā)光效率;同時(shí),張應(yīng)變改性Ge相較于Ge半導(dǎo)體,載流子遷移率更高,還可將其應(yīng)用于電子器件.Si基改性Ge薄膜不具有的光電性質(zhì),還兼具Si襯底的特點(diǎn),具有應(yīng)用潛力.然而,由于Si與Ge之間存在4.2%的晶格失配,直接在Si襯底上生長(zhǎng)改性Ge薄膜將會(huì)產(chǎn)生較大的缺陷,從而影響改性Ge光電器件的性能.因此,如何在Si襯底上生長(zhǎng)的改性Ge薄膜已成為領(lǐng)域內(nèi)研究的熱點(diǎn)和.為此,搭建了Si基改性Ge薄膜RPCVD生長(zhǎng)系統(tǒng),為Si基改性Ge薄膜的生長(zhǎng)奠定了的物質(zhì)基礎(chǔ).基于RPCVD碰撞與吸附理論,進(jìn)一步建立了Si基改性Ge薄膜的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)模型,為制定Si基改性Ge薄膜RPCVD工藝制度提供了理論依據(jù).針對(duì)Si基改性Ge薄膜位錯(cuò)密度與應(yīng)力表征方面存在的問(wèn)題,提出了適用于改性Ge的位錯(cuò)密度表征方法,建立了拉曼譜與應(yīng)力的理論關(guān)系模型,完善了相關(guān)表征.通過(guò)以上研究,為的Si基改性Ge薄膜的生長(zhǎng)奠定了的基礎(chǔ).基于所搭建RPCVD薄膜生長(zhǎng)系統(tǒng),采用低溫-高溫兩步法工藝,在Si襯底上生長(zhǎng)了改性Ge薄膜. ? 相關(guān)產(chǎn)品： 硅片上的金剛石氮化鋁薄膜 Si上鍍Al薄膜（Aluminum Film on Silicon Wafer） Si-Al復(fù)合薄膜 Si片外延AIN薄膜 (Si+AlN dia4")： Si襯底上AlN外延薄膜 Si+SiO2+Cr+Au薄膜： (Au,Si)/SiO2復(fù)合納米顆粒薄膜 Si/SiO2/Cr/Au復(fù)合薄膜 AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜 Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜N型不摻雜 Nb：SrTiO3+Ba1-xSrxTiO3薄膜 Ba1-xTiO3型薄膜? 400nm 摻鈮SrTiO3基片 400nm單面拋光薄膜 Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 10x10 x 0.5 mm SrTiO3襯底上BiFeO3薄膜 Nb∶SrTiO3單晶基片上外延生長(zhǎng)BaTiO3薄膜 Fe3O4/BiFeO3復(fù)合薄膜 Si+SiO2+Ta+Cu薄膜 Si/SiO2/Ta/Cu薄膜 Cu/Ta/SiO2/Si薄膜 Si襯底上Ta-N/Cu薄膜 Si+SiO2+Ti+Au薄膜 Si/SiO2/Cr/Au/Ti 襯底薄膜 鍍金硅片鍍鉑硅片ptPt/Ti/SiO2/Si Si+GaN薄膜： 別稱(chēng)：Si 晶圓外延 Gan 薄膜 (si + Gan 薄膜) Si襯底上GaN薄膜 Si基GaN薄膜 Si+Cu薄膜: 多孔Si/Cu復(fù)合薄膜 Si上鍍Cu薄膜 Si基上電沉積Cu薄膜 YSZ+CeO2薄膜 30-50nm CeO2/YSZ復(fù)合薄膜 30-50nm CeO2/YSZ薄膜 Si+BN薄膜 Si/BN硅基氮化硼薄膜 單層氮化硼薄膜Si基底 CAS號(hào)7440-42-8 Si摻雜的c-BN薄膜 Si上的Cu外延膜 SiBN復(fù)合薄膜 FTO膜 Glass+FTO薄膜 玻璃板上涂氟氧化錫（FTO） 鍺(GOI)薄膜 體上鍺(GOI)薄膜 薄Si過(guò)渡層制備體上Ge(GOI)材料 GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜 GaAs （半）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜 GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜 GaAs/AIGaAs壓阻薄膜 GaN系列薄膜 氮化鎵GaN/藍(lán)寶石復(fù)合襯底上蒸鍍金屬鎳(Ni)薄膜 GaN 薄膜基片 GaN外延薄膜 Ga2O3-?膜 AL2O3+Ga2O3-?薄膜 Ga2O3-?晶體 2英寸?- Ga2O3單晶襯底 Ga2O3-Al膜 Si上鍍Ge薄膜0.5-2um 生長(zhǎng)Si—Ge薄膜10x10mm Si基改性Ge薄膜 硅基底石墨烯膜1cm*1cm 硅基底石墨烯膜5cm*5cm 雙層石墨烯膜2cm*2cm 康寧7980玻璃上鍍ITO膜10x10x0.7mm 康寧7980上鍍ito膜(ito film on corning 7980) InP上鍍InAlAs薄膜? 摻Fe半型材料 300nm 在InP襯底上生長(zhǎng)InAlAs/InGaAs等異質(zhì)結(jié)構(gòu) InP襯底上InAlAs薄膜 InP襯底上生長(zhǎng)InAlAs薄膜 InAlAs-InGaAs-InP InP上鍍InGaAs薄膜 半型材料 GaAs InGaP薄膜 GaAs襯底InGaP薄膜 金屬襯底InGaP/GaAs雙結(jié)薄膜 InGaP/GaAs/InGaAs三結(jié)薄膜 InGaP/GaAs微結(jié)構(gòu)材料 GaAs襯底成功制備了InGaP外延薄膜 InGaP/GaAs異質(zhì)結(jié) ITO+ZnO鈉鈣玻璃 ITO/ZnO復(fù)合材料 納米ZnO/ITO導(dǎo)電玻璃復(fù)合材料 ITO= 100nm，ZnO= 50nm ITO導(dǎo)電玻璃襯底上沉積出透明致密ZnO薄膜 La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3復(fù)合材料 La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3復(fù)合材料 SrMoO4薄膜 SrMoO4薄膜（400nm）光致發(fā)光薄膜 SiO2+Pt 薄膜 SiO2∶Pt薄膜 二氧化硅/鉑復(fù)合薄膜SiO2/Pt 二氧化硅負(fù)載鉑復(fù)合薄膜催化材料 Si+SiO2+Ti+Pt薄膜 Pt/Ti/SiO2/Si基片鍍PZT膜 Pt/Ti/SiO2/Si襯底的寬波段薄膜 Pt/Ti/Si3N4/SiO2/Si基底的多層薄膜 鈣鈦礦型稀土復(fù)合氧化物L(fēng)aFeO3膜 鈣鈦礦型鐵酸鑭LaFeO3薄膜 Ni襯底上的LaFeO3薄膜 LaFeO3納米晶薄膜 LaNiO3導(dǎo)電薄膜 Si基底LaNiO3導(dǎo)電薄膜10x10x0.5mm Si基LaNiO3導(dǎo)電薄膜 Si/LaNiO3 Si(111)襯底上沉積LaNiO3薄膜 La1-XSrXMnO3薄膜 La1-XSrXMnO3薄膜10x10x0.5mm LaAlO3 或者 SrTiO3襯底La1-XSrXMnO3薄膜 SrTiO3(100)上La1-xSrxMnO3薄膜 Si襯底上外延生長(zhǎng)La1-xSrxMnO3單晶薄膜 玻璃基底上La1-xSrxMnO3納米薄膜 La1-xSrxTiO3薄膜 LaAlO3襯底La1-xSrxTiO3薄膜 La1-xSrxTiO3+δ陶瓷涂層 La2Zr2O7薄膜 La2Zr2O7/LaAlO3復(fù)合薄膜 LaAlO3單晶或Ni（NiW)雙軸織構(gòu)基板 LaAlO3單晶襯底La2Zr2O7薄膜 Ni襯底La2Zr2O7薄膜 高溫導(dǎo)涂層導(dǎo)體La2Zr2O7緩沖層薄膜 玻璃上鍍Mo 玻璃上鍍Mo (Mo-coated Sodalime glass ) CVD MoS2薄膜 襯底：Si/SiO2 尺寸：1*1cm、1*5cm、5*5cm、5*10cm 可以做CVD MoS2, BN，WSe2薄膜等 Si鍍Ni薄膜 Si納米線表面Ni薄膜 P型Si(100)化學(xué)鍍NiP薄膜 Si片上鍍Ni薄膜 Si/Ni基復(fù)合薄膜材料 Si+Si3N4薄膜 PE-CVD制備Si/Si3N4薄膜 Si3N4/Si多層紅外干涉濾波薄膜 SiO2,α—Si,Si3N4薄膜 CVD-Si3N4薄膜 Si3N4/FePd/Si3N4薄膜 Si基Si3N4/SiO2雙層駐極體薄膜 Al2O3+Si薄膜(SOS)料 Al2O3上鍍Si薄膜 γ-Al2O3/Si硅基外延薄膜 γ-Al2O3/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)薄膜 Si/Al2O3/Si薄膜 Si+SiO2+Si(SOI基片) Si/SiO2/Si復(fù)合材料 Si/SiO2/p-Si結(jié)構(gòu)材料 Pt/Ti/SiO2/Si? Au/Cr/Si基片 Pt/Ti/SiO2/Si基片 Au/Cr/Si基片 4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型 4H-SiC上鍍4H-SiC薄膜P型（4H-SiC Epitaxial Film on 4H-SiC, P type) p型4H-SiC單晶 4H-SiC同質(zhì)外延薄膜 4H-SiC材料p型摻雜材料 SiC 3C薄膜 PECVD生長(zhǎng)3C結(jié)構(gòu)SiC外延薄膜 3C-SiC（100）薄膜 Si+SiO2薄膜 Si/SiO2薄膜 Si襯底SiO2薄膜 Si/SiO2/Ta/Cu薄膜 常規(guī)厚度300nmSiO2 LaAlO3+SrTiO3薄膜 LaAlO3/SrTiO3鈣鈦礦結(jié)構(gòu)氧化物薄膜 SrTiO3/LaAlO3/SrTiO3(001)異質(zhì)結(jié) SrTiO3(001)襯底上外延制備10晶胞層厚度的LaAlO3薄膜 Al2O3+YBCO薄膜10x10x0.5 mm Al2O3+YBCO薄膜10x5x0.5 mm Al2O3+YBCO薄膜3" dia.x0.5 mm Al2O3/YBCO功能外延薄膜 YBCO/CeO2/Al2O3雙面導(dǎo)外延薄膜 YIG單晶外延薄膜GGG襯底 釔鐵石榴石YIG外延薄膜GGG襯底 釔鐵石榴石（Yttrium Iron Garnet）在GGG襯底外延薄膜 Al2O3+ZnO薄膜 Al2O3/ZnO薄膜 CVD生長(zhǎng)ZnO/GaN/Al2O3薄膜 Al2O3襯底上外延生長(zhǎng)ZnO薄膜 SrRuO3薄膜 SrTiO3基底SrRuO3薄膜50nm SrTiO3襯底上生長(zhǎng)SrRuO3薄膜 SrRuO3/SrTiO3人工薄膜 SrRuO3/SrTiO3薄膜 TiO2薄膜 鈉鈣玻璃基底TiO2薄膜 二氧化鈦(TiO2)薄膜(鈉鈣玻璃基底) ZnO/Au納米復(fù)合物 ZnO +Au+Cr ZnO/Au/Cr復(fù)合薄膜 ZnO/Au/ZnO多層膜 ZnO+SiO2薄膜 熔融石英基底ZnO/SiO2薄膜 ZnO/SiO2復(fù)合薄膜 SiO2/Si襯備ZnO薄膜 Ge/ZnO/SiO2薄膜 ZnO+鈉鈣玻璃 鈉鈣玻璃基底ZnO薄膜 ZnS/CuInS/Mo/鈉鈣玻璃襯底上射頻濺射ZnO:Al薄膜 ZnO+Pt+Ti Ti/Pt/ZnO復(fù)合薄膜 Ti/ZnO/Pt 復(fù)合薄膜 Pt/Ti/ZnO復(fù)合薄膜 Pt/Ti/SiO2/Si基片 以上資料來(lái)自西安齊岳生物小編 溫馨提示用于科研 zhn2020.12.14 相關(guān)目錄： 溶膠凝膠法制備Sm摻雜鐵酸鉍（001）外 油酸修飾四氧化三鐵OA@Fe3O4磁性納米顆

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主營(yíng)產(chǎn)品：COF、MOF單體系列：三蝶烯衍生物、金剛烷衍生物、四苯甲烷衍生物、peg、上轉(zhuǎn)換、石墨烯、光電材料、點(diǎn)擊化學(xué)、凝集素、載玻片、蛋白質(zhì)交聯(lián)劑、脂質(zhì)體、蛋白、多肽、氨基酸、糖化學(xué)等。